报告人：宋文雄 中国科公司上海微系统与信息技术研究所副研究员
时 间：2026年4月20日 10：00
地 点：信息楼133会议室
报告人简介：
宋文雄，中国科公司上海微系统与信息技术研究所副研究员，2015年取得博士学位。主要从事相变存储器相关研究，聚焦于硫系非晶材料在热、电等多场作用下的物性演变及其与器件性能的关联机制。主持国家自然科学基金青年/面上项目、中国博士后科学基金各1项，并负责科技创新2030重大专项中的芯片验证任务。以第一/通讯作者在Nature Communications发表论文2篇，已获授权中国发明专利5项。
报告内容介绍：
硫系非晶材料的结构无序性，长期阻碍其原子尺度阈值转变机制的揭示，也制约了相关存储技术的进一步发展。结合原子分辨率的埃束电子衍射与电场耦合从头算分子动力学，首次捕捉到非晶GeSe在电场驱动下的偶极有序化过程，为理解该体系中的阈值转变提供了关键原子尺度证据。研究发现，电场可在皮秒时间内诱导Ge（+0.23 Å）和Se（−0.21 Å）原子发生反向位移，形成排列有序的一维偶极链。这些极性链（其存在由间距1.95 Å的双衍射斑点佐证）能够引导导电细丝沿垂直于链方向生长。基于该机制，实现了在单一材料中通过偶极诱导的阈值电压不对称性构建自选通存储器，从而获得双功能特性。此电场诱导的非阿伦尼乌斯过程有效压制了热激活势垒，使偶极有序驱动的开关速度进入皮秒量级，突破了传统阻变转换的热激活速度极限。为实现原子尺度偶极操控及开发超快存储级内存提供了新途径。
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