非易失性铁电存储器的研发和应用

报告人：王文生博士

时   间：2026年4月22日 10：00-11：00

地   点：闵行校区信息楼133会议室

报告人简介：

王文生博士，国家级领军人才，浙江省顶尖人才，IEEE高级会员，日本电介质学会指导委员会委员，日本应用物理学会会员。深耕非易失性存储器领域三十年，日本跨国公司研发主管，日本铁电存储器材料研发。与量产工艺的领军人物。获得日本政府的最高奖--科学技术奖(第一完成者),日本文部科学大臣奖（在日外国人中第一个获奖）,日本电气科学技术奖等，218件已授权国际专利（包括日本，美国等）。

报告内容介绍：

在全球半导体格局调整背景下，美国对华芯片制裁加剧，我国亟需突破非易失存储器“卡脖子”难题。铁电存储器具有耗电低、高速、10的14次方以上的改写次数、耐伽马等各种放射性照射的特色性能，在民生、军工和航天方面具有广泛的应用。然而，全球高可靠性铁电存储器的生产长期被国外垄断。基于近三十年的铁电存储器研发的深厚基础和量产开发经验，介绍铁电存储器的材料研发，关键工艺和量产技术，并对新型铁电存储器材料的矫顽场大、电极界面，Imprint等问题的关键技术研发，提出展望。